На базе Томского государственного университета готовят специалистов, которые будут разрабатывать отечественные сенсоры и детекторы для российских установок класса мегасайенс — источников синхротронного излучения. В ноябре стартовал новый курс лекций, посвященных синхротронному излучению, который читает ученый с мировым именем, ведущий научный сотрудник Института ядерной физики им. Г. И. Будкера СО РАН и ТГУ Лев Шехтман.
В рамках курса будут затронуты самые разные вопросы — от генерации СИ и детекторов до взаимодействия элементарных частиц с веществом и компьютерного моделирования этих процессов с помощью различных программных продуктов, например, Geant 4. Этот программный пакет был создан для Большого адронного коллайдера и используется для моделирования физических процессов взаимодействия частиц с веществом.
«Полученные знания студенты могут еще до окончания обучения применять на практике, — рассказал заведующий кафедрой полупроводниковой электроники РФФ ТГУ Виктор Копьев. — Старшекурсники с хорошей успеваемостью и высокой мотивацией могут устроиться на работу в центр «Перспективные технологии в микроэлектронике», созданный на базе ТГУ. Центр занимается разработкой сенсоров и детекторов. В частности, его сотрудники — научная группа под руководством профессора ТГУ Олега Толбанова — создали детекторы, которые были установлены в эксперименте на Большом адронном коллайдере».
В 2024 году сотрудники Центра ПТМ ТГУ совместно с ИЯФ СО РАН разработали и изготовили уникальный детектор для СКИФа. Он будет установлен на станции исследования быстропротекающих процессов.
Для справки: Центр «Перспективные технологии в микроэлектронике» создан в ТГУ 20 лет назад по инициативе профессора Олега Толбанова. Научная группа под его руководством разработала детекторы, которые были инсталлированы в эксперимент на Большом адронном коллайдере (ЦЕРН), а также используются в источниках синхротронного излучения в США, Европе и Японии.
В настоящее время на базе Центра ПТМ ТГУ разрабатываются и производятся сенсоры, которые могут быть использованы в промышленном оборудовании,медицинской аппаратуре, например, МРТ, и на исследовательских установках.